半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230368
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074835
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】多層配線構造を有する集積回路に、層間絶縁膜として高密度プラズマCVD法により形成する酸化シリコン膜を用いる場合、配線、特にビアホールの信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上に多層配線構造を形成する場合、下層配線形成後、高密度プラズマCVD法により酸化シリコン膜を全面に形成し、不活性ガス中、もしくは酸素雰囲気中で300°C以上500°C以下の温度で、10分以上熱処理する。その後、ビアホールを開口し、上層配線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の下層配線と層間絶縁膜と上層配線とを順次形成する半導体装置の製造方法において、前記下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に高密度プラズマ化学気相成長法により、少なくともシラン系ガスと酸素を原料とし、前記半導体基板に高周波電力を印加して酸化シリコン膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記酸化シリコン膜中の余剰水素を取り除く工程と、前記層間絶縁膜に前記上層配線と前記下層配線とを電気的に接続するための接続孔を形成する工程と、前記余剰水素を取り除く工程の後、前記上層配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/90 K , H01L 21/31 C , H01L 21/316 P , H01L 21/90 B , H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-286122
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-033930 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平4-100233

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