特許
J-GLOBAL ID：200903031233325641

光半導体装置及びその製造方法

発明者：
大坪 孝二

大坪 孝二 について

, 
中田 義昭

中田 義昭 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301292
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072338
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】量子ドット層が積層されてなる活性層を有する光半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドット層の積層数及び光閉じ込め係数を容易に増加しうる光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 量子ドット層が積層されてなる活性層を有する光半導体装置において、バリア層16を介して積層された複数の量子ドット層14を有する量子ドット積層体18,22,26を、バリア層16よりも厚いバリア層20,24を介して積層し、活性層28を形成する。これにより、基板と量子ドットとの間の格子不整合に伴う転位の発生を抑制しつつ量子ドット層を積層することができる。また、所望の光閉じ込め係数を確保しつつ、量子ドット層を多層積層できるので、光半導体装置の特性を容易に向上することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上に形成され、第1のバリア層を介して積層された複数の量子ドット層を有する複数の量子ドット積層体が、前記第1のバリア層よりも厚い第2のバリア層を介して積層されてなる活性層と、 前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層と を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S5/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (3件)：
H01S5/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 A
Fターム (35件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA56 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA75 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073BA03 ,  5F073CA02 ,  5F073CA15 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073DA33 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-281240   出願人：古河電気工業株式会社
  • GaN系半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155838   出願人：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
  • 光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277559   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (2件)
  • GaN系半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155838   出願人：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
  • 光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277559   出願人：日本電気株式会社

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