特許

J-GLOBAL ID：200903064182594931

半導体レーザ素子

発明者： 清水 均 ,  熊田 浩仁 ,  岩井 則広
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281240
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017812
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 特性温度が高く、しかも室温でのしきい値電流密度が低い長波長帯半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子60は、n-GaAs基板62上に、順次、成膜した、n-GaAsバッファ層64、n-In0.47Ga0.53Pクラッド層66、GaAs光閉じ込め層68、GaInNAs/GaNPAs単一量子井戸活性層70、GaAs光閉じ込め層72、p-In0.47Ga0.53Pクラッド層74、及びp-GaAsコンタクト層76の積層構造を有する。活性層は、井戸膜厚が8nmで、圧縮歪2.5%のGa0.63In0.37N0.01As0.99層を井戸層70bとして、膜厚が30nmのGaN0.02P0.25As0.73層を障壁層70a、70cとしては用いている。障壁層70a、70cの引っ張り歪量は1.3%、ΔEc=420meVであり、バンドギャップ波長は0.82μmである。

請求項（抜粋）：

量子井戸活性層及びクラッド層を有し、レーザ光を出射する共振器構造をGaAs基板上に備える半導体レーザにおいて、量子井戸活性層が、GaInNAs(Sb)井戸層と、伝導帯オフセットエネルギーが350meV以上で、かつ歪量が2.5%以下になるような組成を有する障壁層とで構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (9件)：

5F073AA45 ,  5F073AA72 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-079340   出願人：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091219   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザおよび該半導体レーザを用いた光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-304414   出願人：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 窒素を含むIII-V族半導体を用いた半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-218240   出願人：キヤノン株式会社