特許

J-GLOBAL ID：200903031263268693

スピントランジスタ

発明者： 大兼 幹彦 ,  宮▲崎▼ 照宣 ,  桜庭 裕弥 ,  安藤 康夫 ,  久保田 均
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 杉村 興作 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-175560
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004891
出願日： 2006年06月26日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】電流を良好に制御することができるスピントランジスタを提供する。【解決手段】スピントランジスタでは、ハーフメタルによって構成されたソース層1、絶縁層2、ハーフメタルによって構成されたゲート層3、絶縁層4及びハーフメタルによって構成されたドレイン層5によって二重強磁性体トンネル接合を形成しており、ソース電極6、ゲート電極7及びドレイン電極8が設けられる。ゲート層3をハーフメタルによって構成することによって、外部磁界によるスピントランジスタの抵抗の変化率が大きくなるため、ゲート電圧のオンオフによる電流比が大きくなり、その結果、スピントランジスタを流れる電流を良好に制御することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性体によって構成されたソース層及びドレイン層と、 ハーフメタルによって構成されたゲート層と、 前記ソース層と前記ゲート層との間に介在する第1の絶縁層と、 前記ゲート層と前記ドレイン層との間に介在する第2の絶縁層とを具えることを特徴とするスピントランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/82

FI (1件)：

H01L29/82 Z

Fターム (7件)：

5F092AA02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC24 ,  5F092BD05 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強磁性半導体を用いた電界効果トランジスタと及びこれを用いた不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-434847   出願人：国立大学法人東京大学

審査官引用 (3件)

• スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039343   出願人：株式会社東芝
• 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-271628   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-156406   出願人：株式会社東芝