強磁性半導体を用いた電界効果トランジスタと及びこれを用いた不揮発性メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 今村健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-434847
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197271
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】不揮発性メモリにおける情報の低消費電力書き換え及び高密度化を実現する。【解決手段】 MISFET1は、ゲート構造としてゲート電極15と、ゲート絶縁膜11と、強磁性半導体5との積層構造を有するMIS構造を用いている。ソース7aまたはドレイン7b又はソース7a/ドレイン7bの両方に、強磁性体と強磁性半導体とのショットキー接合を用いる。強磁性半導体(チャネル)5と強磁性ソース7a又は強磁性ドレイン7bとの相対的な磁化の向きとして情報を記憶させ、トランジスタの伝達特性の違いとして記憶した情報を読み出す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性体からなりキャリアを注入するソース及び強磁性体からなり前記キャリアを受けるドレイン又はいずれか一方が強磁性体からなる前記ソース及び前記ドレインと、前記ソースと前記ドレインとの間に設けられ、前記ソース及び前記ドレインとのそれぞれの接合界面においてショットキー障壁を有するショットキー接合を形成する強磁性半導体層と、前記強磁性半導体層に対して形成されるゲート電極とを有するトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/82 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/786

FI (7件)：

H01L29/82 Z , G11C11/15 140 , H01L27/10 447 , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 613B , H01L29/78 622

Fターム (24件)：

5F083FZ10 , 5F083HA02 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110BB05 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD11 , 5F110FF22 , 5F110GG01 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG53 , 5F110HJ02 , 5F110HJ13 , 5F110HJ15 , 5F110HK02 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁性半導体を用いた脳型メモリおよび脳型演算装置およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-369900 出願人：科学技術振興事業団
磁気装置および磁性体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058244 出願人：株式会社東芝
強磁性単電子素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-063624 出願人：科学技術振興事業団

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