特許
J-GLOBAL ID：200903031275003440
酸素終端(111)ダイヤモンド上におけるp型表面伝導層の製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154777
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332387
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜上におけるp型表面伝導層の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、p型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
エピタキシャル(111)ダイヤモンド表面を、酸素終端したことを特徴とするp型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンド。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AF02
, 5F045BB16
, 5F045HA11
審査官引用 (1件)
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薄膜ガスセンサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-139341
出願人：株式会社神戸製鋼所, 新コスモス電機株式会社
引用文献：
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