特許

J-GLOBAL ID：200903031321426571

酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板及び光起電力素子

発明者： 荒尾 浩三 ,  中川 克己 ,  岩▲崎▼ 由希子 ,  近藤 隆治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021466
公開番号（公開出願番号）：特開平10-140373
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れた製造方法を提供する。特に、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】 基体上にスパッタ法により第1の酸化亜鉛薄膜を形成する工程と、少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に前記基体を浸漬し、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、第2の酸化亜鉛薄膜を前記第1の酸化亜鉛薄膜上に形成する工程とを有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基体上にスパッタ法により第1の酸化亜鉛薄膜を形成する工程と、少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に前記基体を浸漬し、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、第2の酸化亜鉛薄膜を前記第1の酸化亜鉛薄膜上に形成する工程とを有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 28/04 ,  C23C 14/08 ,  C25D 9/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

C23C 28/04 ,  C23C 14/08 H ,  C25D 9/04 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 31/04 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 酸化亜鉛膜作製用電解液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-023775   出願人：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
• 酸化亜鉛膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067394   出願人：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
• 特許第3368176号
  
• 特許第3327811号
  
• 酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板及び光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045670   出願人：キヤノン株式会社