改善された重ね合わせアライメント測定マーク

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-523551
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507901
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】半導体製造プロセスによって生じる測定の不正確さを最小化しつつ、アライメントマークおよび半導体ウェーハのレイヤ間の重ね合わせ誤差を決定する。【解決手段】アライメントマーク20は、半導体デバイスの異なるレイヤ間の相対位置を測定するための第1テストゾーン(40bおよび50c)および第2テストゾーン(50bおよび40c)を含む。第1テストゾーン(40bおよび50c)は2つの部分を含み、一方の部分40bにはあるレイヤ上にテスト構造が形成され、第2の部分50cには第2レイヤ上にテスト構造が形成される。これらのテスト構造のそれぞれはより小さいサブ構造92からなる。第2テストゾーン(50bおよび40c)は2つの似た部分を含み、やはりより小さいサブ構造92からなる。あるレイヤ中に形成されたそれぞれのテストゾーンの部分が他のレイヤ上に形成された他のテストゾーンの部分と隣接するように、第1および第2テストゾーンは構成される。より小さいサブ構造を持つ周期的構造のそれぞれを形成することによって、アライメント誤差のより正確な測定が可能となる。本発明の他の局面は、重ね合わせ誤差の測定が可能なアライメントマークを利用する方法に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの第1レイヤおよび第2レイヤ間の相対位置を測定するのに用いられるマークであって、前記第2レイヤは前記第1レイヤとは異なり、前記マークは、第1部分および第2部分を含む第1テストゾーンであり、前記第1部分は前記第1レイヤ上に形成された複数のテスト構造を含み、前記第2部分は前記第2レイヤ上に形成された複数のテスト構造を含み、前記テスト構造のそれぞれはサブテスト構造からなる、第1テストゾーンと、第1部分および第2部分を含む第2テストゾーンであり、前記第1部分は前記第1レイヤ上に形成された複数のテスト構造を含み、前記第2部分は前記第2レイヤ上に形成された複数のテスト構造を含み、前記テスト構造のそれぞれはサブテスト構造からなり、前記第1テストゾーンの前記第1部分および前記第2部分は、それぞれ前記第2テストゾーンの前記第2部分および前記第1部分の近傍に位置する、第2テストゾーンと、を備えるマーク。

IPC (3件)：

H01L21/027 , G01B11/00 , G03F9/00

FI (3件)：

H01L21/30 502M , G01B11/00 C , G03F9/00 H

Fターム (23件)：

2F065AA03 , 2F065AA07 , 2F065AA20 , 2F065BB02 , 2F065BB28 , 2F065CC19 , 2F065FF48 , 2F065GG06 , 2F065JJ02 , 2F065JJ05 , 2F065LL00 , 2F065LL02 , 2F065LL42 , 2F065QQ03 , 2F065QQ42 , 5F046DB05 , 5F046EA03 , 5F046EA04 , 5F046EA09 , 5F046EA10 , 5F046EB01 , 5F046EB07 , 5F046EB10

引用特許：

審査官引用 (4件)

重ね合わせマークおよびこの重ね合わせマークを使用した半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221484 出願人：三菱電機株式会社
露光方法及び該露光方法に使用されるマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134006 出願人：株式会社ニコン
特開昭56-122128

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