特許
J-GLOBAL ID：200903044353655399

露光方法及び該露光方法に使用されるマスク

発明者：
水谷 真士

水谷 真士 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134006
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008156
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、平坦化によるディッシングの発生を抑制し、アライメント精度の低下を防止する。【構成】 所定幅以上の間隔を持つ凸部75A〜75D同士の間に微細なサブパターン74A〜74Eを有するウエハマーク76XをウエハW上に形成し、ウエハマーク76X上の平坦化膜79の表面におけるディッシング現象の発生を抑制することにより、ウエハマークの観察像の歪みを防止する。また、そのウエハマーク76Xを形成するためのレチクルは、所定幅以上の透過部又は暗部の間に微細な明暗パターンが配置されたレチクルマークを有する。
請求項（抜粋）：
基板上に凹凸パターンよりなる位置合わせ用のマークを形成する第1工程と;前記基板の前記位置合わせ用のマーク上及び他の領域上に被膜を形成する第2工程と;前記被膜を平坦化する第3工程と;該第3工程により平坦化された前記被膜上に感光材料を塗布してマスクパターンを露光する第4工程と;を有する露光方法において、前記第1工程で形成する前記位置合わせ用のマークは、所定幅以上の凸部の間に前記所定幅よりも小さいピッチの凹凸パターンが形成されたものであることを特徴とする露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (2件)：
H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 508
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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