特許
J-GLOBAL ID:200903067305612149

位置ずれ計測マーク及び位置ずれ計測方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-306777
公開番号(公開出願番号):特開2000-133576
出願日: 1998年10月28日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造工程のリソグラフィー工程において、露光に使用されるステッパーのレンズ収差に起因する下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれ量を正確に計測する。【解決手段】 下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれを、集積回路内部に配置されているパターン相当の微細パターンにより構成された位置ずれ計測マークX1,Y1,X2,Y2を用いて計測する。位置ずれ計測マークとしては、回路パターン相当のラインアンドスペースパターンからなるものを好適に使用することができる。
請求項(抜粋):
半導体製造工程のリソグラフィー工程において下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれを計測するためのマークであって、集積回路内部に配置されているパターン相当の微細パターンにより構成されていることを特徴とする位置ずれ計測マーク。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 9/00
FI (3件):
H01L 21/30 522 B ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 W
Fターム (9件):
5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EA09 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EC05 ,  5F046FA10
引用特許:
審査官引用 (8件)
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