特許
J-GLOBAL ID：200903031391154137

単結晶を製造するための種結晶、種結晶の使用方法並びにSiC単結晶或いは単結晶SiC膜の製造方法

発明者：
フエルクル、ヨハネス

フエルクル、ヨハネス について

, 
シユタイン、ルネ

シユタイン、ルネ について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-508802
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510781
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】種結晶(2)の表面(3)は、第一の部分領域(4)に気相成長する単結晶(6)のための結晶化面が設けられ、第二の部分領域(5)に種結晶(2)及び気相に対して化学的に耐性があり、成長温度では溶融しない皮膜(7)が備えられる。これにより種結晶(2)における崩壊が回避され、製造される単結晶(6)の品質が向上する。
請求項（抜粋）：
a)第一の部分領域(4)に気相から単結晶(6)を成長させるための結晶化面が設けられ、b)少なくとも第二の部分領域(5)に、種結晶(2)の材料及び気相に対して実質的に化学的に耐性があり成長温度以上の溶融点を持つ皮膜(7)を備えている表面(3)を備えた単結晶を製造するための種結晶(2)。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C30B 25/18
FI (3件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  C30B 25/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-237882   出願人：ローム株式会社
  • 大サイズ単結晶の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156171   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
  • 特開昭61-291494
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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