スピンFET及び磁気抵抗効果素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-221600
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054880
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】素子抵抗の低抵抗化とMR比の向上とを同時に実現する。【解決手段】本発明の例に係るスピンFETは、ソース・ドレイン部に、少なくとも半導体基板11/トンネルバリア12/低仕事関数材料13/強磁性体14からなる積層構造を有し、低仕事関数材料13は、未酸化のMg,K,Ca,Scのうちの1つ、又は、その1つを原子数比で50%以上含む合金から構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

FETのソース・ドレイン部に、少なくとも半導体基板/トンネルバリア/低仕事関数材料/強磁性体からなる積層構造を有し、前記低仕事関数材料は、未酸化のMg,K,Ca,Scのうちの1つ、又は、その1つを原子数比で50%以上含む合金であることを特徴とするスピンFET。

IPC (8件)：

H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , G11B 5/39

FI (8件)：

H01L29/82 Z , H01L43/08 U , H01L29/78 301J , H01L29/78 301X , H01L43/08 Z , H01L29/80 B , H01L29/80 C , G11B5/39

Fターム (68件)：

5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5F092AA02 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD03 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BD03 , 5F092BD04 , 5F092BD05 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BD15 , 5F092BE06 , 5F092BE25 , 5F092CA11 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ05 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102GR15 , 5F140AA00 , 5F140AC14 , 5F140AC16 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BA10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BH21 , 5F140BH33 , 5F140BH45 , 5F140BH47 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ13 , 5F140BJ30 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12

引用特許：

出願人引用 (1件)

スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-156406 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

スピン注入FET
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-101531 出願人：株式会社東芝
中間層を有する磁気トンネル接合装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-619038 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
感知向上層(senseenhancinglayer)を含む磁気感知デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-337714 出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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