特許
J-GLOBAL ID：200903087927209580

感知向上層(senseenhancinglayer)を含む磁気感知デバイス

発明者：
チョン ガオ

チョン ガオ について

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ブライアン ダブリュー. カール

ブライアン ダブリュー. カール について

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ソン シェ

ソン シェ について

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エリック エル. グランストローム

エリック エル. グランストローム について

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クオン ティー. トラン

クオン ティー. トラン について

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イー エックス. リー

イー エックス. リー について


出願人/特許権者：
シーゲイト テクノロジー エルエルシー

シーゲイト テクノロジー エルエルシー について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-337714
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173809
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】第1の磁性部分と、第2の磁性部分と、第1の磁性部分と第2の磁性部分の間のバリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。【解決手段】第1の磁性部分及び第2の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第1の磁性層と、第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗-面積(RA)積が約1.0Ω・μm2であるとき、少なくとも約80%のMR比を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の磁性部分と、第2の磁性部分と、前記第1の磁性部分と前記第2の磁性部分の間のバリア層とを含むセンサスタックを含んでなる磁気センサであって、 前記第1の磁性部分及び前記第2の磁性部分のうち少なくとも一方が、前記バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第1の磁性層と、第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層の間の中間層とを含む多層構造を含んでなり、 前記磁気センサの抵抗-面積(RA)積が約1.0Ω・μm2のとき、前記磁気センサが少なくとも約80%の磁気抵抗比を示す、上記磁気センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  G01R33/06 R ,  G11B5/39
Fターム (24件)：
2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  5D034BA03 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BE06 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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