トンネルバリア層の形成方法、ならびにTMRセンサおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309492
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142424
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】膜厚と酸化状態の均一性が改善されたトンネルバリア層の形成方法、ならびにそのようなトンネルバリア層を備えたTMRセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 TMRセンサのトンネルバリア層28を、下部Mg層25/MgO層26/上部Mg層27という3層積層構造にする。MgO層26は、下部Mg層25の表面を自然酸化させて形成する。このため、膜厚と酸化状態の均一性が改善される。また、上部Mg層27を追加したことで、隣接するフリー層29の酸化を防止できる。AlOX からなるトンネルバリア層を備えた従来のTMRセンサと比べて、低いRA値であっても高いMR比が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

TMRセンサにおけるトンネルバリア層を形成する方法であって、強磁性層の上に第1のマグネシウム層を形成するステップと、前記第1のマグネシウム層を自然酸化させて、その上に酸化マグネシウム層(MgO)を形成するステップと、前記酸化マグネシウム層の上に第2のマグネシウム層を形成するステップとを含むことを特徴とするトンネルバリア層の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 43/12 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 41/18

FI (6件)：

H01L43/12 , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11B5/39 , G01R33/06 R , H01F41/18

Fターム (39件)：

2G017AD55 , 2G017AD65 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119DD03 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119JJ02 , 5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049GC01 , 5F092AA01 , 5F092AA11 , 5F092AB03 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092BB03 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC17 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092CA14 , 5F092CA23

引用特許：

出願人引用 (16件)

米国特許6, 841, 395
米国特許6, 828, 260
米国特許6, 756, 128

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審査官引用 (8件)

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316799 出願人：株式会社東芝
強磁性トンネル接合素子と磁気ヘッドと磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-238726 出願人：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-230367 出願人：ソニー株式会社

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