特許
J-GLOBAL ID：200903031425590489

半導体装置およびその製造方法

発明者：
伊藤 富士夫

伊藤 富士夫 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ について


代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150557
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 CSP・ICの製造コストを低減する。【解決手段】 CSP・IC10の半導体チップ11の第一主面に形成された複数個の電極パッド13には外部端子14が金めっき処理により形成され、第一主面の上には樹脂封止膜15が形成され、樹脂封止膜15から外部端子14の端面が露出されている。【効果】 チップの第一主面に形成された複数個の電極パッドに金めっき処理によって外部端子を形成し、第一主面の上に樹脂封止膜を形成し、樹脂封止膜の上部を研磨して外部端子の上面を露出させることにより、パッケージをチップの大きさと同等に構成でき、樹脂封止膜および外部端子を形成するのにプリント配線基板やフィルムキャリアを使用しなくて済むため、製造コストを抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの第一主面に形成された複数個の電極パッドに外部端子が機械的かつ電気的にそれぞれ接続されており、前記第一主面の上には樹脂封止膜が形成され、この樹脂封止膜から前記外部端子の端面が露出されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件)：
H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/30 D
Fターム (4件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109DB17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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