特許

J-GLOBAL ID：200903031453755450

半導体装置及びその製造方法

発明者： 守田 俊章 ,  保田 雄亮 ,  井出 英一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-009692
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177378
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】半導体装置のNi又はCu電極と、金属粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子101とCuまたはNi電極がAg,Cu又はAuで構成された接合層105を介して接続され、前記接合層105と前記CuまたはNi電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置101を特徴とする。平均粒径が1nm〜50μmの金属酸化物粒子と、有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、還元雰囲気中において接合を行うことでNi又はCu電極に対して優れた接合強度が得ることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体素子とCuまたはNi電極がAg,Cu又はAuで構成された接合層を介して接続された半導体装置であって、前記接合層と前記CuまたはNi電極とが相互拡散接合している構造を特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  B23K 35/34 ,  B23K 35/363 ,  H05K 3/32 ,  B23K 20/00

FI (6件)：

H01L21/60 321E ,  B23K35/34 310 ,  B23K35/363 D ,  B23K35/363 E ,  H05K3/32 C ,  B23K20/00 310L

Fターム (15件)：

4E067AA26 ,  4E067BA03 ,  4E067EA05 ,  4E067EA07 ,  5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB05 ,  5E319AC04 ,  5E319AC17 ,  5E319BB20 ,  5E319CC70 ,  5E319CD27 ,  5E319CD29 ,  5E319CD60 ,  5E319GG20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 接合材料及び接合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-272364   出願人：株式会社荏原製作所

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びそれを使用した電力変換装置並びにこの電力変換装置を用いたハイブリッド自動車。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-221918   出願人：株式会社日立製作所
• 接続材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231805   出願人：旭化成株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-078074   出願人：富士電機ホールディングス株式会社