特許
J-GLOBAL ID：200903077332432387

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
谷口 克己

谷口 克己 について

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後藤 友彰

後藤 友彰 について

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石川 正宏

石川 正宏 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-078074
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352080
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】放熱ベース1,絶縁基板2,パワー半導体素子6などの接合部に、熱膨張係数の相違による応力が印加されても、接合部にクラックを発生させることなく、放熱効率が良く信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供すること。【解決手段】放熱ベースの所定の箇所に金属微粒子を含むペーストを塗布する第1塗布工程と、第1塗布工程で塗布された金属微粒子を含むペースト上に前記裏面の導体パターンを接触させるように前記絶縁基板を載置する第1載置工程と、金属微粒子を含むペースト内の金属微粒子を焼結させる加熱工程とを含むものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
両面に導体パターンが形成された絶縁基板の、おもて面の導体パターンに半導体チップを、裏面の導体パターンに放熱ベースを接合してなる半導体装置の製造方法において、 前記放熱ベースの所定の箇所に金属微粒子を含むペーストを塗布する第1塗布工程と、 第1塗布工程で塗布された金属微粒子を含むペースト上に前記裏面の導体パターンを接触させるように前記絶縁基板を載置する第1載置工程と、 前記絶縁基板のおもて面の導体パターンの所定の箇所に金属微粒子を含むペーストを塗布する第2塗布工程と、 第2塗布工程で塗布された金属微粒子を含むペースト上に前記半導体チップを載置する載置する第2載置工程と、 前記半導体チップ上の所定の箇所に金属微粒子を含むペーストを塗布する第3塗布工程と、 第3塗布工程で塗布された金属微粒子を含むペースト上に金属放熱板を載置する第3載置工程と、 前記金属微粒子を含むペースト内の金属微粒子を焼結させる加熱工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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