特許
J-GLOBAL ID：200903031466674107

半導体レーザの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者：
浅野 竹春

浅野 竹春 について

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朝妻 庸紀

朝妻 庸紀 について

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日野 智公

日野 智公 について

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冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について

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山口 恭司

山口 恭司 について

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小林 高志

小林 高志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158298
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332693
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 安定に横モードを制御して高出力時の高次モード発振を抑制することができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、少なくとも一部が非単結晶、例えば多結晶の窒化物系III-V族化合物半導体からなる埋め込み半導体層、例えばAlGaN埋め込み層20により埋め込む。埋め込み半導体層は例えば520〜760°Cの成長温度で成長させる。
請求項（抜粋）：
リッジ形状のストライプを有する、化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、上記リッジ形状のストライプを形成する工程と、上記リッジを覆うように、単結晶の部分と多結晶の部分とからなる化合物半導体からなる埋め込み半導体層を成長させる工程と、上記リッジの上の部分の上記埋め込み半導体層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
Fターム (18件)：
5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045DA62 ,  5F073AA22 ,  5F073BA06 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA16 ,  5F073EA24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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