特許
J-GLOBAL ID：200903031479013851
基板処理装置及びパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182330
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139343
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 寸法精度の良いレジストパターンを得る。【解決手段】 被加工基板1にレジスト膜2を形成する工程と、レジスト膜2上に含水性ポリマーの溶液4を塗布する工程と、含水性ポリマー内の高分子を架橋させて所定の膜厚のハイドロゲル膜4aを形成する工程と、このハイドロゲル膜を介してレジスト膜2をパターン露光し、その後にハイドロゲル膜4aを除去する工程と、を備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被加工基板にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上に含水性ポリマーの溶液を塗布する工程と、前記含水性ポリマー内の高分子を架橋させて所定の膜厚のハイドロゲル膜を形成する工程と、このハイドロゲル膜を介して前記レジスト膜をパターン露光し、その後に前記ハイドロゲル膜を除去する工程と、を備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 501
, G03F 7/16
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 575
, G03F 7/11 501
, G03F 7/16
, G03F 7/38 501
