特許
J-GLOBAL ID:200903031479954958
フォトレジスト用高分子化合物の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 幸久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-020618
公開番号(公開出願番号):特開2003-221403
出願日: 2002年01月29日
公開日(公表日): 2003年08月05日
要約:
【要約】【課題】 所望の分子量を有するポリマーを安定に製造することのできるフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法は、酸により分解してアルカリ可溶となる官能基と重合性官能基を有する単量体を少なくとも含む単量体成分と、ラジカル重合開始剤と、溶剤とからなる混合溶液(A)を、重合温度に加熱した反応容器内の溶剤(B)中に滴下して重合させる方法であって、前記混合溶液(A)及び溶剤(B)の少なくとも一方から重合前に予めラジカル捕捉性物質を除去する工程を含む。ラジカル捕捉性物質には酸素などが含まれる。
請求項(抜粋):
酸により分解してアルカリ可溶となる官能基と重合性官能基を有する単量体を少なくとも含む単量体成分と、ラジカル重合開始剤と、溶剤とからなる混合溶液(A)を、重合温度に加熱した反応容器内の溶剤(B)中に滴下して重合させるフォトレジスト用高分子化合物の製造方法であって、前記混合溶液(A)及び溶剤(B)の少なくとも一方から重合前に予めラジカル捕捉性物質を除去する工程を含むフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。
IPC (4件):
C08F 2/00
, C08F 20/10
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (5件):
C08F 2/00 A
, C08F 2/00 Z
, C08F 20/10
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Fターム (21件):
2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025BJ10
, 4J011AC05
, 4J011BB01
, 4J011BB02
, 4J011BB12
, 4J100AL08P
, 4J100BA03P
, 4J100BA11P
, 4J100BA15P
, 4J100BA20P
, 4J100BC09P
, 4J100BC53P
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100FA03
, 4J100FA27
, 4J100FA41
, 4J100JA38
引用特許:
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