特許
J-GLOBAL ID：200903031491944704
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-136245
公開番号（公開出願番号）：特開2008-290895
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】炭化珪素単結晶インゴットの利用効率を高めることのできる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝7内で炭化珪素原料8を加熱昇華させ、昇華した原料ガスを炭化珪素単結晶からなる種結晶6上に供給して再結晶化させ、炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶6は、<0001>方向に成長させた炭化珪素単結晶インゴットの一部であって、ウエハとして加工することのできない{0001}面ファセット2を含む部分を有し、単結晶を成長させる側の種結晶表面5には機械加工を加えない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
坩堝内に炭化珪素原料を配置し、前記原料と対向する位置に設けた種結晶支持部に炭化珪素単結晶からなる種結晶を接続した後、前記坩堝を加熱して前記原料を昇華させ前記種結晶表面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記種結晶は、<0001>方向に結晶成長させた際に生じる{0001}面ファセットを含むものとする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EH06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA07
