半導体素子の濃度評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-060949
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203151
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】縦型超接合半導体素子に設けられたストライプ状の並列pn層の各p層およびn層の実効濃度を知ること。【解決手段】縦型超接合半導体素子の厚さと同程度に素子の幅をストライプと平行方向に薄くして評価素子5を作製する。評価素子5の厚さ方向の辺を下にして、評価素子5の並列pn層2の幅が拡大するように、評価素子5を斜めに研磨する。斜め研磨により露出した研磨面4に対して広がり抵抗測定装置を用いて濃度評価を行う。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

第1の主面と第2の主面の間に低抵抗層と、第1導電型領域と第2導電型領域とを交互に配置したストライプ状の並列pn層とを備える半導体素子の実効的な濃度を評価するにあたって、素子の厚さと同程度に素子の幅をストライプと平行方向に薄くして評価素子を得る工程と、前記評価素子の並列pn層の幅が拡大するように斜め研磨を行う工程と、前記斜め研磨により露出した研磨面に対して広がり抵抗測定装置を用いて濃度評価を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の濃度評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (3件)：

H01L29/78 658L , H01L29/78 652H , H01L29/91 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体における不純物濃度プロファイルの測定方法及び測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225967 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の解析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335940 出願人：松下電子工業株式会社

審査官引用 (9件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-304473 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-089781 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-399297 出願人：株式会社東芝

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