特許

J-GLOBAL ID：200903031530963029

半導体記憶装置、表示装置及び機器

発明者： 塩見 竹史 ,  片岡 耕太郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-101644
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253159
出願日： 2008年04月09日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、 前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、 前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 619B

Fターム (110件)：

2H092GA59 ,  2H092JA23 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB07 ,  2H092JB51 ,  2H092JB52 ,  2H092JB56 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KA18 ,  2H092KA22 ,  2H092KB13 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA13 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER30 ,  5F083GA13 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR33 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD30 ,  5F101BD43 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL09 ,  5F110HL10 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN49 ,  5F110NN50 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-211113   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (7件)

• 不揮発性記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-028641   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-376704   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-369588   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-092376
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-321371   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-075099   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示素子およびその製造方法、並びに表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234244   出願人：ソニー株式会社