特許

J-GLOBAL ID：200903078373348206

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-075099
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235147
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】小型化が可能な不揮発性メモリを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に画素と不揮発性メモリとを備え、前記不揮発性メモリは、基板上に形成される半導体活性層と、前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、前記フローティングゲイト電極を酸化して得られる酸化膜と、前記酸化膜に接して形成されるコントロールゲイト電極と、を備え、前記画素と前記不揮発性メモリとは、前記基板上に一体形成される。このことによって上記課題が達成される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリと、画素とを有し、 前記不揮発性メモリは、 絶縁表面を有する基板上に設けられた第1の半導体活性層と、 前記第1の半導体活性層上に設けられた第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられたフローティングゲイト電極と、 前記フローティングゲイト電極上に設けられた酸化膜と、 前記酸化膜上に設けられたコントロールゲイト電極と、を備え、 前記画素は、薄膜トランジスタと画素電極とを有し、 前記薄膜トランジスタは、 前記絶縁表面を有する基板上に設けられた第2の半導体活性層と、 前記第2の半導体活性層上に設けられた第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、 前記第2の半導体活性層と接続された配線と、を備え、 前記不揮発性メモリ及び前記薄膜トランジスタ上に有機樹脂膜を有し、 前記有機樹脂膜上に前記画素電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 613B ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 461 ,  H01L29/78 612B ,  G02F1/1368

Fターム (81件)：

2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA24 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP27 ,  5F083EP32 ,  5F083EP77 ,  5F083ER21 ,  5F083GA22 ,  5F083HA02 ,  5F083JA39 ,  5F083PR12 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21 ,  5F110AA04 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE27 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-309236   出願人：シャープ株式会社
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-317141   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-237959   出願人：日本鋼管株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-338249   出願人：新日本製鐵株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280592   出願人：株式会社デンソー
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-144284   出願人：日本電気株式会社