特許
J-GLOBAL ID：200903031566527713

有機ELデバイスおよびこの製造方法

発明者：
多田 宏

多田 宏 について

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小田 敦

小田 敦 について

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石川 仁志

石川 仁志 について

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東口 達

東口 達 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038808
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246173
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 製造コストをあまり増加させることなく、ショート欠陥の発生を抑制できるようにする。【解決手段】 ITOがエッチングされると同時にアモルファスカーボンを堆積し、ITO膜がエッチングされた部分、すなわち形成される下部電極101aの間に、アモルファスカーボンの膜103を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性の基板上に形成されたストライプ状の複数の下部電極と、この下部電極間を充填するように前記基板上に形成されたアモルファスカーボンからなる複数の充填パターンと、前記下部電極および充填パターンからなる層の上に形成された発光層と、この発光層上に形成されて前記下部電極とは異なる方向に延在するストライプ状の複数の上部電極とを備えたことを特徴とする有機ELデバイス。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ,  H01L 21/3065 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 21/302 J
Fターム (17件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB31 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02
引用特許：
審査官引用 (13件)
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