特許
J-GLOBAL ID：200903031577240866

磁気抵抗素子及びメモリセル装置中でのメモリ素子としてのその使用

発明者：
ジークフリート シュヴァルツル

ジークフリート シュヴァルツル について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-569406
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524865
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：
【要約】磁気抵抗素子中に非磁性層素子(3)が第1の強磁性層素子(1)と第2の強磁性層素子(2)との間に配置されている。この非磁性層素子(3)は磁気抵抗素子の製造の際に必要な温度範囲において拡散バリア作用を示す材料からなり、それ自体隣接する強磁性層素子内へ拡散侵入しない。この磁気抵抗素子はセンサ素子としてもメモリセル装置中のメモリ素子としても適している。
請求項（抜粋）：
第1の強磁性層素子(1)、非磁性層素子(3)及び第2の強磁性層素子(2)を備え、 非磁性層素子(3)が第1の強磁性層素子(1)と第2の強磁性層素子(2)との間に配置されており、 非磁性層素子(3)が磁気抵抗素子の製造の際に必要な温度範囲で、拡散バリア作用を示しかつそれ自体強磁性層素子(1,2)内へ拡散侵入しない材料を含有する磁気抵抗素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/105
FI (8件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/10 447
Fターム (14件)：
5D034BA03 ,  5D034BA21 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (8件)
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