特許

J-GLOBAL ID：200903041049880581

III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 千田 昌伸 ,  千代 敏明 ,  浅見 慎也 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代 ,  柴田 直樹 ,  渡邉 大志
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370437
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185498
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【目的】 横方向成長法(ELO法)を実行する際のいわゆるマスク層を簡易に形成する。【構成】 基板上にIII族窒化物系化合物半導体の結晶成長を抑止する成長抑止材料を島状に蒸着し、これを横方向成長法を実行する際のマスク層とする。

請求項（抜粋）：

基板上に成長抑止材料を一部基板面が露出するように島状に形成し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C

Fターム (40件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA11 ,  4K030LA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55

引用特許：

審査官引用 (4件)

• GaN系結晶成長用基板およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-005682   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-227963   出願人：酒井士郎
• GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037577   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体、窒化物系半導体素子の製造方法および窒化物系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-269197   出願人：三洋電機株式会社