特許
J-GLOBAL ID：200903031605982172
メモリマトリクス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211245
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134708
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 列線路および行線路から成るセルフィールドを有しているメモリマトリクスであって、列線路および行線路の交点にそれぞれメモリ素子が存在しており、セルフィールドの行線路および/または列線路が相並んで配置されている形式のものにおいて、隣接線路に対する過結合の不都合な作用を低減する。【解決手段】 少なくとも2つの列線路または行線路は相互にその配置を変えている。
請求項（抜粋）：
列線路および行線路から成る少なくとも1つのセルフィールドを有しているメモリマトリクスであって、列線路および行線路の交点にそれぞれメモリ素子が存在しており、ここでセルフィールドの行線路および/または列線路が相並んで配置されている形式のものにおいて、少なくとも2つの列線路または行線路は相互にその配置を変えていることを特徴とするメモリマトリクス。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA12
, 5F083LA16
