特許

J-GLOBAL ID：200903031614914309

硫化物薄膜の作製方法

発明者： 田中 久仁彦 ,  森竹 典子 ,  打木 久雄
出願人/特許権者： 国立大学法人長岡技術科学大学
代理人 (2件)： 吉井 剛 ,  吉井 雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-098530
公開番号（公開出願番号）：特開2007-269589
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】非真空下での薄膜太陽電池光吸収層用硫化物薄膜の作製法を提供する。【解決手段】非真空下で銅、亜鉛、錫を含む薄膜を作り、これを、硫化水素を含む雰囲気で熱処理することによりCu2ZnSnS4薄膜を得る。化合物原料となる金属化学種を含む溶液を非真空中で基材上に塗布し、これを硫化水素を含むまたは硫黄原子を含む雰囲気中で加熱することにより基材表面に硫化物を固定化させる。またはこれを乾燥させることにより水酸化物または酸化物を基材上に形成し、これを硫化水素を含むまたは硫黄原子を含む雰囲気中で加熱することにより基材表面に硫化物を固定化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物となる金属化学種を含む溶液を基材上に塗布し、これを硫化水素を含むまたは硫黄原子を含む雰囲気中で加熱することにより基材表面に硫化物を固定化させることを特徴とする硫化物薄膜の作製方法。

IPC (2件)：

C01G 19/00 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C01G19/00 Z ,  H01L31/04 E ,  C01G19/00 A

Fターム (6件)：

5F051AA10 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ポジ型金属硫化物薄膜パターン形成用組成物及びポジ型金属硫化物薄膜パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-127227   出願人：三菱マテリアル株式会社
• ポジ型金属硫化物薄膜パターン形成用組成物及びポジ型金属硫化物薄膜パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-127226   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 金属硫化物薄膜パターン形成用組成物及びその製造方法、金属硫化物薄膜パターンの形成方法並びに電子部品及び光学部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181783   出願人：三菱マテリアル株式会社