面発光半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211554
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078773
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】1.0μmよりも大きな発振波長帯の発光半導体レーザに関し、歩留り、発光効率を良くすること。【構成】三元混晶半導体層1の上に形成され、該半導体基板1に格子整合する半導体多層膜よりなる第一の分布反射ミラー4と、前記第一の分布反射ミラー4の上に形成された第一のクラッド層5と、前記第一のクラッド層5の上方に形成された歪量子井戸構造の活性層7と、前記活性層7の上方に形成される第二のクラッド層9と、前記第二のクラッド層9の上に形成された半導体多層膜又は誘電体多層膜よりなる第二の分布反射ミラー16とを含む。

請求項（抜粋）：

三元混晶半導体層の上に形成され、該三元混晶半導体層に格子整合する半導体多層膜よりなる第一の分布反射ミラーと、前記第一の分布反射ミラーの上に形成された第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上方に形成された歪量子井戸構造の活性層と、前記活性層の上方に形成される第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に形成された半導体多層膜又は誘電体多層膜よりなる第二の分布反射ミラーとを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

長波長帯面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-279701 出願人：日本電信電話株式会社
面発光半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-215233 出願人：富士通株式会社
特開平4-127521

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