特許
J-GLOBAL ID:200903031671171584

銅及び銅基合金とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅賀 一樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-114242
公開番号(公開出願番号):特開2000-307051
出願日: 1999年04月21日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】 半導体機器のリードフレーム用銅及び銅基合金に、ワイヤーボンディング用リード線を直接リードフレーム材に接合(ベアボンディング)することを可能にするべアボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法を提案する。【解決手段】 重量%においてP0.01〜0.5%、またはFeNiSnZnCrCoSiMgTiZrの群から選ばれる少なくとも1種を0.01〜5.5%含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなり、トリアゾール類化合物を含む層の厚さが1〜15nmであり、さらに酸化被膜厚さが6nm以下であることを特徴とする銅及び銅基合金とその製造方法。
請求項(抜粋):
トリアゾール類化合物を含む層の厚さが1〜15nmであり、酸化被膜厚さが6nm以下であることを特徴とする銅及び銅基合金。
IPC (9件):
H01L 23/50 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/08 ,  C22C 9/10
FI (9件):
H01L 23/50 V ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/08 ,  C22C 9/10
Fターム (2件):
5F067DF01 ,  5F067EA04
引用特許:
審査官引用 (6件)
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