特許
J-GLOBAL ID：200903031688896701

メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者：
矢口 和義

矢口 和義 について

, 
安部 幸次郎

安部 幸次郎 について

, 
大戸 秀

大戸 秀 について


出願人/特許権者：
三菱瓦斯化学株式会社

三菱瓦斯化学株式会社 について


代理人 (1件)： 永井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-185691
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005656
出願日： 2005年06月24日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】 半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を、選択的に、かつ効率よくエッチングするエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】メタル材料の精密な加工が可能であり、かつ絶縁材料に対する腐食性が少ないという優れた特性をもつエッチング剤組成物であって、フッ素化合物に無機酸もしくは有機酸のいずれかを含有することからなるエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を選択的にエッチングするエッチング剤組成物であって、フッ素化合物と、無機酸及び/又は有機酸を含有する水溶液であることを特徴とするメタル材料のエッチング剤組成物。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/321 ,  C23F 1/16 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L21/306 F ,  H01L21/88 C ,  C23F1/16 ,  H01L21/28 E ,  H01L29/78 301G
Fターム (60件)：
4K057WA02 ,  4K057WA13 ,  4K057WB01 ,  4K057WB02 ,  4K057WB03 ,  4K057WB04 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE04 ,  4K057WE07 ,  4K057WE08 ,  4K057WE09 ,  4K057WE11 ,  4K057WE12 ,  4K057WE13 ,  4K057WE14 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104DD64 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH26 ,  5F033HH32 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F043AA24 ,  5F043AA26 ,  5F043BB16 ,  5F043BB18 ,  5F043GG04 ,  5F140AA01 ,  5F140AA26 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG37 ,  5F140BG58
引用特許：
審査官引用 (3件)

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