特許
J-GLOBAL ID：200903080952317821

微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法

発明者：
菊山 裕久

菊山 裕久 について

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脇 雅秀

脇 雅秀 について

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伊藤 周徳

伊藤 周徳 について

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久次米 孝信

久次米 孝信 について

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二井 啓一

二井 啓一 について

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長谷部 類

長谷部 類 について

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鶴丸 一志

鶴丸 一志 について

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中嶌 秀紀

中嶌 秀紀 について


出願人/特許権者：
ステラケミファ株式会社

ステラケミファ株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-368055
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179513
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素及び硝酸を含み、基板上に積層されたタングステン膜及びシリコン酸化膜を微細加工する微細加工処理剤であって、前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートが0.5〜5000nm/分の範囲内であり、且つ、前記シリコン酸化膜に対する25°Cでのエッチレートが、前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートの0.5〜2倍の範囲内であることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
フッ化水素及び硝酸を含み、基板上に積層されたタングステン膜及びシリコン酸化膜を微細加工する微細加工処理剤であって、 前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートが0.5〜5000nm/分の範囲内であり、 且つ、前記シリコン酸化膜に対する25°Cでのエッチレートが、前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートの0.5〜2倍の範囲内であることを特徴とする微細加工処理剤。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (6件)：
H01L21/306 D ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/306 F ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 M
Fターム (33件)：
4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB33 ,  4M104DD64 ,  4M104HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH22 ,  5F033HH23 ,  5F033HH28 ,  5F033HH34 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ20 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F043AA26 ,  5F043AA31 ,  5F043BB18 ,  5F043BB22 ,  5F043BB28 ,  5F043DD07 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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