特許
J-GLOBAL ID：200903031711259579

オゾン酸化絶縁膜を使用した磁気トンネル素子

発明者：
堀合 直

堀合 直 について

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遠藤 博史

遠藤 博史 について

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林 高▲広▼

林 高▲広▼ について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323333
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150984
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 酸素及びオゾンを含む混合気中で金属アルミニウムを酸化させることにより、得られた酸化膜にダメージを与えることがなく、またオゾンによる十分な酸素を酸化膜成膜時に膜に供給して欠陥が少ない絶縁膜を作製し、MRAMアレイに使用可能な磁気トンネル素子を提供する。【解決手段】 保磁力が相互に異なる硬磁性膜5及び軟磁性膜7と両者間に介在する絶縁膜6とを有する磁気トンネル素子8において、絶縁膜6はAl膜を酸素及びオゾンの混合気中で酸化させることにより形成する。
請求項（抜粋）：
保磁力が相互に異なる硬磁性膜及び軟磁性膜と、両者間に介在する絶縁膜とを有する磁気トンネル素子において、前記絶縁膜は酸素及びオゾンの混合気中で酸化されたものであることを特徴とするオゾン酸化絶縁膜を使用した磁気トンネル素子。
IPC (2件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39
FI (2件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39
Fターム (3件)：
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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