特許
J-GLOBAL ID：200903031734938317

横電流抑止の発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
チェン・シ-ミン

チェン・シ-ミン について


出願人/特許権者：
エピテック・テクノロジー・コーポレイション

エピテック・テクノロジー・コーポレイション について

, 
チェン・シ-ミン

チェン・シ-ミン について


代理人 (3件)： 河宮 治 ,  石井 久夫 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-062599
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310785
出願日： 2006年03月08日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】高出力発光ダイオードの応用に好適な横電流抑止の発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】発光ダイオードは、絶縁基板402、半導体エピタキシャル構造、第1の導電型電極416および第2の導電型電極412を備える。半導体エピタキシャル構造は、少なくとも一つのトレンチ420を有し、絶縁基板402の一部分の上に配置され、トレンチ420の底部が下方に配置されて半導体エピタキシャル構造中の電気絶縁領域が形成されている第1の導電型半導体層404と、第1の導電型半導体層404の一部分の上に配置され、残りの第1の導電型半導体層404を露出するように設けられた活性層406と、活性層406上に配置されている第2の導電型半導体層408とを有する。【選択図】図4A
請求項（抜粋）：
絶縁基板、半導体エピタキシャル構造、第1の導電型電極および第2の導電型電極を備える横電流抑止の発光ダイオードであって、 前記半導体エピタキシャル構造は、少なくとも一つのトレンチと、前記絶縁基板の一部分の上に配置されて前記トレンチの底部が下方に位置し、前記半導体エピタキシャル構造中に電気絶縁領域が形成されている第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層の一部分の上に配置され、残りの前記第1の導電型半導体層を露出するように設けられた活性層と、前記活性層上に配置されている第2の導電型半導体層とを有し、 前記第1の導電型電極は、前記第1の導電型半導体層の露出部分の上に配置され、 前記第2の導電型電極は、前記第2の導電型半導体層の一部分の上に配置され、 前記トレンチは、前記第1の導電型電極と前記第2の導電型電極との間に配置されていることを特徴とする横電流抑止の発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 B
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA88
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6307218号明細書
審査官引用 (4件)
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