特許

J-GLOBAL ID：200903031816776323

アルミナ質焼結体及びその製造方法、並びに配線基板及びその製造方法

発明者： 鬼谷 正光 ,  山田 成樹 ,  吉原 安彦 ,  有川 秀洋 ,  石田 政信
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-097767
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】1500°C以下の低温で焼成が可能であるとともに、高熱伝導、高強度かつ低誘電損失なアルミナ質焼結体を絶縁基板とし、低抵抗金属を含む配線回路層を同時焼成可能な配線基板を得る。【解決手段】セラミック絶縁基板1の表面および/または内部に配線回路層2が形成されてなる配線基板Aにおいて、セラミック絶縁基板1をアルミナを主成分とし、MnをMn2 O3 換算で2〜15重量%とSiをSiO2 換算で2〜15重量%含有し、さらに、Mg、Ca、Sr、B、Nb、Cr、Coの内から選ばれる1種以上を酸化物換算で0.1〜4重量%含有し、第4a族金属元素の含有量が酸化物換算で0.1重量%以下、相対密度が95%以上であり、且つアルミナ結晶粒子の粒界相にMnAl2 O4 およびMnSi2 O4 が析出してなる焼結体によって形成する。

請求項（抜粋）：

アルミナを主成分とし、MnをMn2 O3 換算で2〜15重量%、SiをSiO2 換算で2〜15重量%、さらに、Mg、Ca、Sr、B、Nb、Cr、Coの内から選ばれる1種以上を酸化物換算で0.1〜4重量%の割合で含有し、第4a族金属元素の酸化物換算による含有量が0.1重量%以下、相対密度が95%以上であり、且つアルミナ結晶粒子の粒界相にMnAl2 O4 およびMnSi2 O4 が析出してなることを特徴とするアルミナ質焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/111 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/03 610

FI (3件)：

C04B 41/88 C ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/10 D

Fターム (22件)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA20 ,  4G030AA22 ,  4G030AA25 ,  4G030AA28 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030BA20 ,  4G030BA21 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA05 ,  4G030GA14 ,  4G030GA20 ,  4G030GA22 ,  4G030GA26 ,  4G030GA27 ,  4G030PA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アルミナセラミックスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-045745   出願人：松下電器産業株式会社
• レドーム用誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平2-400093   出願人：株式会社東芝
• 酸化物セラミック回路基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-155176   出願人：新光電気工業株式会社