特許

J-GLOBAL ID：200903031837844280

半導体光検出器

発明者： 大野 泰夫 ,  河合 弘治 ,  岡田 政也 ,  敖 金平
出願人/特許権者： 国立大学法人徳島大学 ,  株式会社パウデック
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137713
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311475
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】紫外光またはより短波長の光だけを極めて高い受光感度で検出することができ、しかもp型層を用いないで済むことにより製造も容易な半導体光検出器を提供する。【解決手段】第1の半導体層2上にこの第1の半導体層2よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層3を設け、その上に第2の半導体層3よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、第2の半導体層3とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層4を設け、第1の半導体層2に第1の電極5を設け、第3の半導体層4に第2の電極6を設けて半導体光検出器を構成する。動作時に第3の半導体層4による光吸収によって生成される正孔が第3の半導体層4と第2の半導体層3との界面に蓄積される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、 上記第1の半導体層上の、上記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、 上記第2の半導体層上の、上記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、上記第2の半導体層とタイプIのヘテロ接合を形成する第3の半導体層と、 上記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、 上記第3の半導体層に電気的に接続された第2の電極とを有し、 動作時に上記第3の半導体層による光吸収によって生成される正孔が上記第3の半導体層と上記第2の半導体層との界面に蓄積されることを特徴とする半導体光検出器。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (8件)：

5F049MA11 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果型フオトトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-229676   出願人：富士ゼロツクス株式会社
• GaN系化合物半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-041217   出願人：大阪瓦斯株式会社