特許
J-GLOBAL ID：200903031857970860
半導体装置の層用の平面パターンの生成方法及びその方法を使用した半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178013
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 パターン密度を均一にすると同時に不要な容量増加をもたらさないという条件を同時に満たすような最適なダミーパターンと配線パターンとを簡単にしかも自動的に生成する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明による半導体装置の層用の平面パターンの生成方法は、a) 半導体装置のある材料層の2次元平面形状を表す第1パターンを2次元的に所定寸法だけ拡大する工程と、b) 拡大した前記第1パターン以外の領域により形成される反転パターンを生成する工程と、c) 前記反転パターンと、同一の幾何学形状が複数個所定間隔をあけて規則的に配置された第2パターンとを重ね合わせて、前記反転パターンと前記第2パターンとが重複する領域だけを第3パターンとして残す工程とを有する。
請求項（抜粋）：
a) 半導体装置のある材料層の2次元平面形状を表す第1パターンを2次元的に所定寸法だけ拡大する工程と、b) 拡大した前記第1パターン以外の領域により形成される反転パターンを生成する工程と、c) 前記反転パターンと、同一の幾何学形状が複数個所定間隔をあけて規則的に配置された第2パターンとを重ね合わせて、前記反転パターンと前記第2パターンとが重複する領域だけを第3パターンとして残す工程とを有する半導体装置の層用の平面パターンの生成方法。
引用特許：
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