パーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273622
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082453
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】液晶ディスプレイにおける透明導電膜や半導体装置の電極膜をスパッタリングにより形成するためのパーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Mo素地中にMo化合物粒子相が分散している燒結組織を有するMoスパッタリングターゲットにおいて、前記Mo化合物粒子相の最大径をAμm、最小径をBμmとすると、(A+B)/2が8μm以下であるパーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットであって、このターゲットは、Mo粉末を容器に充填し、このMo粉末を充填した容器を脱気しながら600〜1150°Cの温度範囲に保持した後、容器を真空封入して熱間静水圧プレスすることにより製造する。

請求項（抜粋）：

Mo素地中にMo化合物粒子相が分散している焼結組織を有するMoスパッタリングターゲットにおいて、前記Mo化合物粒子相の最大径をAμm、最小径をBμmとすると、(A+B)/2が8μm以下であることを特徴とするパーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , G02F 1/1345 , H01B 1/02 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 14/34 A , G02F 1/1345 , H01B 1/02 Z , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R

Fターム (17件)：

2H092KA15 , 2H092KB13 , 2H092MA05 , 2H092NA29 , 4K029BA11 , 4K029BC09 , 4K029BD02 , 4K029DC03 , 4K029DC09 , 4M104BB16 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD78 , 4M104HH20 , 5G301AA30 , 5G301AB20 , 5G301AD10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-150356
特開平3-150356
スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-212568 出願人：東ソー株式会社

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