特許

J-GLOBAL ID：200903031881335709

発光ダイオード

発明者： 今井 貞人
出願人/特許権者： シチズン電子株式会社
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-172261
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353802
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 発光素子を封止する樹脂体を回路基板上に密着力よく形成すると共に、急激な温度変化に対しても前記樹脂体の剥離や内部のボンディングワイヤ等の接触不良を防止することのできる発光ダイオードを提供することである。【解決手段】 回路基板22と、この回路基板22にパターン形成される上面電極部23と、この上面電極部23と導通する下面電極部24と、前記上面電極部23に実装される発光素子25と、この発光素子25を前記回路基板22上に封止する樹脂体26とを備えた発光ダイオード21において、前記上面電極部23を前記回路基板22の上面の前記樹脂体26との接合面における平面方向の接合境界部29より内側に形成した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

回路基板と、この回路基板にパターン形成される上面電極部と、この上面電極部と導通する下面電極部と、前記上面電極部に実装される発光素子と、この発光素子を前記回路基板上に封止する樹脂体とを備えた発光ダイオードにおいて、 前記上面電極部が前記回路基板の上面の前記樹脂体との接合面における平面方向の接合境界部より内側に設けられることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (8件)：

5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3393089号
  
• 特許第3434714号
  

審査官引用 (4件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-106519   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-355828   出願人：シャープ株式会社
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-170140   出願人：松下電器産業株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-150999   出願人：松下電子工業株式会社