特許
J-GLOBAL ID:200903095138751763

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-355828
公開番号(公開出願番号):特開2000-012773
出願日: 1998年12月15日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】 従来例の半導体装置では、モールド部の外側に電極端子を形成しなければならなかったため、端子部の大きさが余分に必要であり、外形形状を小さくすることが出来なかった。また、パターン面がモールド部端面を横切るため、モールド工程において、金型がパターンを押さえ、パターンを断線させてしまうというという問題があった。【解決手段】 基板上に発光チップ、受光チップ、IC等電子部品を実装し、樹脂モールドする半導体装置において、該基板に多層積層基板を使用し、該多層積層基板の端面にまで及ぶ樹脂モールド部を有することを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
基板上に発光チップ、受光チップ、IC等電子部品を実装し、樹脂モールドする半導体装置において、該基板に多層積層基板を使用し、該多層積層基板の端面にまで及ぶ樹脂モールド部を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 25/16 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/36 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00
FI (6件):
H01L 25/16 A ,  H01L 23/28 D ,  H01L 23/28 F ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/36 D ,  H01L 31/02 B
引用特許:
審査官引用 (7件)
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