特許

J-GLOBAL ID：200903059635168595

光半導体装置

発明者： 野添 誠
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352102
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 ダイシング工程においても電極のバリの発生がなく樹脂パッケージの接合度を強固にしてボンディング用ワイヤの断線を防止できる光半導体装置を提供すること。【解決手段】 絶縁性の基板1の外郭縁から離れた2箇所にスルーホール1a,1bを開け、これらのスルーホール1a,1bを介して基板1の表面側から裏面側に掛けて基板1の外郭縁より内側に周縁を持つ一対の電極2,3を形成し、電極3の上に半導体発光素子4を導通搭載するとともに半導体発光素子4を他方の電極2にワイヤ6でボンディングし、更に基板1の表面の全体に接合され半導体発光素子及びワイヤ6を封止する樹脂パッケージ7を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板の外郭縁から離れた2箇所にスルーホールを開け、これらのスルーホールを介して前記基板の表面側から裏面側に掛けて前記基板の外郭縁より内側に周縁を持つ一対の電極を形成し、前記一対の電極の上に素子を導通搭載するとともに前記素子を他方の電極にワイヤでボンディングし、更に前記基板の表面の全体に接合され前記素子及び前記ワイヤを封止する樹脂パッケージを形成したことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 23/28 D

Fターム (16件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB16 ,  4M109GA01 ,  5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA43 ,  5F041DC03 ,  5F041DC04 ,  5F041DC23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256250   出願人：シャープ株式会社
• 発光基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-129955   出願人：三菱電線工業株式会社
• チップ型発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128079   出願人：ローム株式会社
• 特開平2-202073