特許
J-GLOBAL ID：200903031940067608
半導体装置とその製造方法およびレジストパターンの形成方法ならびにそれに用いるレチクル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183687
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032327
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 寄生容量の増加、耐圧低下等の素子特性の劣化を防止し得る半導体装置とその製造方法ならびにそれに用いるレチクルを提供する。【解決手段】 ドレイン領域D側がべたパターン、ソース領域S側に複数の線状スリットが形成されたレチクル9を用いて露光を行い、ソース領域側が低くドレイン領域側が高い段差部を持つレジストパターン14を多結晶シリコン膜17上に形成する。そして、このレジストパターン14をマスクとして多結晶シリコン膜17のエッチングを行い、レジストパターン14と同様の段差部を持つゲート電極19を形成する。その後、低濃度不純物拡散層形成のためのイオン注入、ソース側とドレイン側で幅の異なるサイドウォール22a、22bの形成、高濃度不純物拡散層形成のためのイオン注入を行う。
請求項（抜粋）：
低濃度不純物拡散層と高濃度不純物拡散層を備えたLDD構造のソース領域およびドレイン領域と、該ソース領域に隣接する側が低く該ドレイン領域に隣接する側が高い段差部を有するゲート電極と、該ゲート電極の側壁に設けられたサイドウォールを有し、前記ゲート電極側壁のソース領域に隣接する側のサイドウォールよりもドレイン領域に隣接する側のサイドウォールの方がその幅が大きく、前記ドレイン領域の高濃度不純物拡散層の端部が前記サイドウォールの下方に位置していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
H01L 29/78 301 L
, G03F 1/08 Z
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/302 H
