特許
J-GLOBAL ID：200903031964490889

フォトマスクとその製造方法、および、それを用いた露光方法

発明者：
渡邉 晋生

渡邉 晋生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-402461
公開番号（公開出願番号）：特開2005-164879
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 フォトマスクを用いて露光する時に、ローカルフレアが原因で発生するクリアフィールド領域とダークフィールド領域とのレジストパターンの寸法差を著しく小さくすることを目的とする。【解決手段】 本発明のフォトマスクは、ローカルフレアの原因となるフォトマスク上のパターンのクリアフィールド領域1Aにおける開口部を、フォトレジストが完全に解像することができる透過率を有する半透明膜12で覆い、ダークフィールド領域1Bにおける開口部14においては、半透明膜を形成しない構造とすることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成された半透明膜と、前記半透明膜上に形成され、パターニングされた遮光膜とを有するフォトマスクであって、 前記半透明膜が、前記フォトマスクのダークフィールド領域に相当する領域以外の領域において存在し、当該ダークフィールド領域の前記遮光膜の開口部領域において存在しないようパターニングされていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F1/08 G ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (3件)：
2H095BA03 ,  2H095BA09 ,  2H095BB01
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM