特許
J-GLOBAL ID：200903031969047665

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
川原 孝昭

川原 孝昭 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-187217
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101529
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 不純物含有量の少ない高誘電率膜を形成する。【解決手段】 下層基板に、第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、第1の絶縁膜より比誘電率の高い第2の絶縁膜を形成する。その後、第2の絶縁膜上に、ゲート電極を形成する。ここで、第2の絶縁膜形成の際、成膜装置内への第2の絶縁膜の成膜原料の供給、成膜装置内に供給された前記成膜原料のパージ、成膜原料を酸化させる酸化剤の供給、酸化剤をパージ、還元ガスプラズマの発生により生成した活性種の供給、過剰の活性種をパージの6工程からなるサイクルを繰り返し行う。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜の上に、前記第1の絶縁膜より比誘電率の高い第2の絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程とを備え、 前記第2の絶縁膜を形成する工程は、成膜装置内に原料ガスを供給して、前記第1の絶縁膜の表面に原料を吸着させる第1の工程と、 前記成膜装置内を不活性ガスでパージして、過剰の前記原料ガスを排出する第2の工程と、 前記成膜装置内に酸化性ガスを供給して、前記第1の絶縁膜の表面に吸着した前記原料を酸化する第3の工程と、 前記成膜装置内を不活性ガスでパージして、過剰の前記酸化性ガスを排出する第4の工程と、 前記成膜装置内に還元ガスプラズマを発生させることにより生成した活性種を前記第1の絶縁膜の表面に吸着している前記原料の未酸化部分と反応させる第5の工程と、 前記成膜装置内を不活性ガスでパージして、過剰の前記活性種を排出する第6の工程とを有し、 前記第1の工程から前記第6の工程までを繰り返し行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L29/78 ,  C23C16/44 ,  H01L21/316
FI (4件)：
H01L29/78 301G ,  C23C16/44 A ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 X
Fターム (48件)：
4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA02 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF37 ,  5F058BH02 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CE16
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6475910号
審査官引用 (3件)

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