特許
J-GLOBAL ID：200903031979971280

半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 俊彦

伊藤 俊彦 について

, 
鈴木 孝直

鈴木 孝直 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  高橋 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361889
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193456
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】ウエハ上に樹脂製突部を形成する製造工程において、製造工程を削減し、作業コスト及び材料コストが抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電極が設けられたウエハ上に絶縁層を形成し、この絶縁層で覆われた電極上を開口して露出させたこの電極から絶縁層上に形成された樹脂製突部までを導電性材料でパターニングし、このパターニングされた樹脂製突部上にはんだバンプを載置することでウエハに対して垂直方向に電極端子を形成する半導体装置の製造方法において、樹脂製突部を形成する工程は、液状の樹脂を細いノズルから吐出させて絶縁層上に直接堆積することで、絶縁層上の所定位置に樹脂製突部を形成することができるので、従来必要であった樹脂塗布工程、露光工程、現像工程、が不要となる。その結果、樹脂製突部の製造時間を短縮することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極が設けられたウエハ上に絶縁層を形成し、該絶縁層で覆われた前記電極上を開口して露出させる工程と、前記電極から離れた前記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記電極から前記樹脂製突部まで導電性材料をパターニングし、該パターニングされた樹脂製突部上にはんだバンプを載置して、該樹脂製突部の周囲を樹脂で封止する半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂製突部を形成する工程は、前記絶縁層上の任意の位置に、液状の樹脂を吐出して所定高さまで堆積後、熱処理して硬化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L23/12
FI (2件)：
H01L21/88 T ,  H01L23/12 501P
Fターム (23件)：
5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX04 ,  5F033XX33
引用特許：
審査官引用 (3件)

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