特許
J-GLOBAL ID：200903031986011984

LaNiO3導電性層を形成する方法、LaNiO3層を備えた強誘電体デバイス、及び前駆体形成溶液

発明者：
クオ-チョアヌ リィウ

クオ-チョアヌ リィウ について

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マイケル ジー リー

マイケル ジー リー について

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横内 貴志男

横内 貴志男 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077459
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277412
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 低いコストで、良好な抵抗率の特性及び強誘電体材料に連結することに適した表面の形態を備えたLaNiO3の層の製造を可能とする。【解決手段】 前駆体形成溶液と共に酸化ニッケルランタン(LaNiO3)の層を、このような溶液から作られるデバイスと一緒に、形成する方法を開示する。また、ランタン、ニッケル、及びジオールを使用して、その形成溶液を作るための方法も開示する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
LaNiO3の層を形成する方法であって、 (a)ランタン原子、ニッケル原子、及び一つ以上のジオール化合物を含む溶液で基体を被覆して、材料層を形成するステップ、 (b)第一の時間周期の間に室温より上の且つ400°C以下の温度まで該材料層を加熱するステップ、並びに (c)後の第二の時間周期の間に酸素雰囲気において500°C以上の温度まで該材料層を加熱して、LaNiO3の層を形成するステップ を含む方法。
IPC (5件)：
H01L21/28 ,  C01G53/00 ,  G02B6/12 ,  G02F1/03 ,  H01L21/288
FI (6件)：
H01L21/28 301R ,  C01G53/00 A ,  G02F1/03 505 ,  H01L21/288 Z ,  G02B6/12 J ,  G02B6/12 N
Fターム (31件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079CA07 ,  2H079DA04 ,  2H079EA03 ,  2H079EB04 ,  2H147AC01 ,  2H147BA05 ,  2H147DA11 ,  2H147EA06A ,  2H147EA06B ,  2H147EA25B ,  2H147FA01 ,  2H147FA04 ,  2H147FA09 ,  2H147FA18 ,  2H147FC01 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AD03 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104GG20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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