特許
J-GLOBAL ID：200903032004032238

プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するCMOSイメージセンサの製造方法

発明者：
チャ ハン ソブ

チャ ハン ソブ について


出願人/特許権者：
マグナチップセミコンダクター有限会社

マグナチップセミコンダクター有限会社 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-097666
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300084
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止することのできるCMOSイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のCMOSイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。【選択図】図2J
請求項（抜粋）：
所定の工程が完了した基板を用意するステップと、 該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック(blocking)層を形成するステップと、 該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、 前記マスクを除去するステップと を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H01L21/306 D
Fターム (14件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F043AA33 ,  5F043BB22
引用特許：
審査官引用 (3件)

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