特許
J-GLOBAL ID：200903052388935672

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
木村 雅俊

木村 雅俊 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-299750
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072236
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】フォトダイオードからチャネルへの電荷の転送効率を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】フォトダイオードPDのカソード、および、MOSトランジスタMTのソースとして機能するN型拡散領域17を、比較的深い第1拡散層15および比較的浅い第2拡散層16の2つの拡散層で構成する。第2拡散層16は、ゲート電極13と一部が重なるように形成される。この構造により、N型拡散領域17からチャネルへの電荷の転送経路を、表面シールド領域18が狭めることが無くなる。また、第2拡散層16は、質量数の比較的小さい不純物の注入により形成される。このため、第2拡散層16の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第2拡散層16がゲート電極13と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの電荷を転送するトランジスタとを有する半導体装置であって、 前記基板の主面上に形成された前記トランジスタのゲート電極と、 前記フォトダイオードの一の電極、かつ、前記トランジスタの一の電極として機能する、前記基板の主面内に形成された第1導電型の拡散領域と、 前記拡散領域の上部の前記基板の主面内に形成された第2導電型の表面シールド領域と、 を備え、 前記拡散領域は、 第1不純物の注入により形成された第1拡散層と、 前記第1不純物よりも質量数の小さい第2不純物の注入により、前記第1拡散層よりも浅く、かつ、前記基板の深さ方向において前記ゲート電極と一部が重なるように形成された第2拡散層と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (13件)：
4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326963   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (6件)
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