特許

J-GLOBAL ID：200903032094230360

半導体装置の作製方法

発明者： 楠山 義弘
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369401
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185541
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 単一の処理室で金属配線を形成し、下地膜に損傷を与えることなく塩素を除去し、細密なパターンに対しても信頼性高く金属配線の腐食を防ぐことを目的とする。【解決手段】基板101の上に下地膜102を形成し、その上に金属膜103を形成し、さらに、その上にフォトレジスト104を形成する。その後、反応室において金属膜を塩素を含有するガスを用いてドライエッチングを行うと、フォトレジストおよび形成された金属配線105の表面には、Cl2106および塩素系化合物107が残留する。エッチング後、同一の反応室内にH2Oガス108が導入されると、H2OガスはCl2および塩素系化合物と反応してHClガス109となり表面から除去される。このため、金属配線は大気中に開放しても腐食されなくなる。

請求項（抜粋）：

金属膜を形成する第1の工程と、前記金属膜上にフォトレジストを形成する第2の工程と、反応室内で前記フォトレジストをマスクとし、前記金属膜を塩素を含有するガスを用いてエッチングする第3の工程と、前記反応室内にH2Oを導入する第4の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (102件)：

5F004AA08 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F004FA01 ,  5F004FA02 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK03 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033VV15 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX18 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL10 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• レジスト膜の灰化方法と水蒸気の供給方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232700   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-041728
  
• 特開平4-068525
  
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-026463   出願人：株式会社日立製作所
• 金属配線の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-223445   出願人：三菱電機株式会社